秦皇岛小说

第83章 时间紧迫提前囤积零件（第1页）

第83章时间紧迫，提前囤积零件

经过了一晚上的休息，隔天一早，林天就迫不及待地亲自前往龙芯国际操刀光掩膜版的生产制作。

陈星与曲程没有急着离开魔都，而是共同前去观摩。

他们都想看看，林天到底是不是那么全能。

龙芯国际实验室内，已经聚集了大批抱着学习态度，前来观看的光刻工程师。

面对数十位光刻工程师组成的围观学习人群，林天也没有半点怯场，眼神平静且专注，与前一天吊儿郎当的样子判若两人，轻车熟路地开始了光掩膜版的初步制作。

光掩膜版的制作流程与芯片生产同理，同样要经过图形制作与转换、曝光、显影、蚀刻、脱模、清洗、缺陷检查、缺陷修补、出货清洗、贴膜十个主要步骤，但又与芯片生产不同。

芯片生产，光刻机曝光，而光掩膜版可不能依靠光刻机曝光，而是需要用到激光电子束直写方式对Blankmask（光掩膜版材料）进行曝光。

当正性光刻胶被曝光后，化学结构发生变化，产生光酸，通过显影液作用，被曝光的部分光刻胶溶解，而负性光刻胶被曝光部分结构交联，生成不易溶稳定化学结构，再通过显影液作用，曝光部分得以保留。

正所谓！

行家一出手，便知有没有！

林天前面步骤完全正确，没有半点外行的影子，而且过程行云流水，丝毫没有半点拖沓，像是一位经历过上万次光掩膜版制作的老手，一切都水到渠成。

这也让高永明、唐鑫宇，以及一众围观的光刻工程师们打心底佩服，懂光刻机，懂掩膜版，这简直就是全能天才啊！

在等待第一次流片的蚀刻空隙，龙芯国际的副首席工程师唐鑫宇搓了搓手，再也忍不住请教了：“打扰一下林工，驻波效应你有什么好办法解决吗？”

驻波效应，在光刻过程中，会有一部分光被反射回来，这个反射的光和原来的入射光频率相同，会相互干涉，导致光阻层中光强度的分布不均，呈现出交替的亮暗区域，导致流片失败。

如何有效削减驻波效应，一直是他们头疼的问题。

林天移开锁定在设备上的目光，淡淡说道：“使用TARC，BARC等抗反射层材料，或者进行加热烘烤，用高温促进光敏剂的扩散，一定程度上弥补了光强分布不均的问题，在显影过程中可以得到更均匀的图案剖面。”

声音不大，却传遍实验室。

龙芯国际的工程师没有迟疑，立马掏出记事本记录。

别看这位“林工”

年轻，他在光刻领域的成就与造诣，早已经远超在场所有人。

然而。

就在这时。

赶了最近一班飞机，连夜飞回来的冯承铭开口道：“如果用氧化铬做为抗反射层，也能消除大部分的驻波效应？”

“嗯。”

林天点了点头，脱口而出道：“用氧化铬做为抗反射层，厚度20纳米，可以有效解决驻波效应。”

冯承铭：“为什么是20纳米？”

“20纳米的厚度，已经可以解决大部分驻波效应，21纳米，用不上，19纳米不够用。”

林天淡淡回答道。

两人的一问一答，让默默观看的陈星惊叹，红色品质人才果然有点变态啊！

舌战群儒，有问必答。

“刚才说话的那个老头，就是龙芯国际的光刻首席。”

曲程压低了几分音量介绍道。

“原来是他。”

陈星忍不住笑了笑，这位老爷子可太传奇了。

吹个牛逼，把一群院士都唬住，如果能证实可以利用多重曝光技术实现14纳米芯片，那他吹的牛也算实现了。

“制造光掩膜版的时间比较漫长，单次流片的时间都要1到3天，我建议陈总还是不要等了，公司可不能没有你。”

曲程提了个醒道。

单次要1到3天，经过林天推算，14纳米芯片掩膜版，一共要经历50次左右流片，才能最终进行封装使用。

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