第83章时间紧迫,提前囤积零件
经过了一晚上的休息,隔天一早,林天就迫不及待地亲自前往龙芯国际操刀光掩膜版的生产制作。
陈星与曲程没有急着离开魔都,而是共同前去观摩。
他们都想看看,林天到底是不是那么全能。
龙芯国际实验室内,已经聚集了大批抱着学习态度,前来观看的光刻工程师。
面对数十位光刻工程师组成的围观学习人群,林天也没有半点怯场,眼神平静且专注,与前一天吊儿郎当的样子判若两人,轻车熟路地开始了光掩膜版的初步制作。
光掩膜版的制作流程与芯片生产同理,同样要经过图形制作与转换、曝光、显影、蚀刻、脱模、清洗、缺陷检查、缺陷修补、出货清洗、贴膜十个主要步骤,但又与芯片生产不同。
芯片生产,光刻机曝光,而光掩膜版可不能依靠光刻机曝光,而是需要用到激光电子束直写方式对Blankmask(光掩膜版材料)进行曝光。
当正性光刻胶被曝光后,化学结构发生变化,产生光酸,通过显影液作用,被曝光的部分光刻胶溶解,而负性光刻胶被曝光部分结构交联,生成不易溶稳定化学结构,再通过显影液作用,曝光部分得以保留。
正所谓!
行家一出手,便知有没有!
林天前面步骤完全正确,没有半点外行的影子,而且过程行云流水,丝毫没有半点拖沓,像是一位经历过上万次光掩膜版制作的老手,一切都水到渠成。
这也让高永明、唐鑫宇,以及一众围观的光刻工程师们打心底佩服,懂光刻机,懂掩膜版,这简直就是全能天才啊!
在等待第一次流片的蚀刻空隙,龙芯国际的副首席工程师唐鑫宇搓了搓手,再也忍不住请教了:“打扰一下林工,驻波效应你有什么好办法解决吗?”
驻波效应,在光刻过程中,会有一部分光被反射回来,这个反射的光和原来的入射光频率相同,会相互干涉,导致光阻层中光强度的分布不均,呈现出交替的亮暗区域,导致流片失败。
如何有效削减驻波效应,一直是他们头疼的问题。
林天移开锁定在设备上的目光,淡淡说道:“使用TARC,BARC等抗反射层材料,或者进行加热烘烤,用高温促进光敏剂的扩散,一定程度上弥补了光强分布不均的问题,在显影过程中可以得到更均匀的图案剖面。”
声音不大,却传遍实验室。
龙芯国际的工程师没有迟疑,立马掏出记事本记录。
别看这位“林工”
年轻,他在光刻领域的成就与造诣,早已经远超在场所有人。
然而。
就在这时。
赶了最近一班飞机,连夜飞回来的冯承铭开口道:“如果用氧化铬做为抗反射层,也能消除大部分的驻波效应?”
“嗯。”
林天点了点头,脱口而出道:“用氧化铬做为抗反射层,厚度20纳米,可以有效解决驻波效应。”
冯承铭:“为什么是20纳米?”
“20纳米的厚度,已经可以解决大部分驻波效应,21纳米,用不上,19纳米不够用。”
林天淡淡回答道。
两人的一问一答,让默默观看的陈星惊叹,红色品质人才果然有点变态啊!
舌战群儒,有问必答。
“刚才说话的那个老头,就是龙芯国际的光刻首席。”
曲程压低了几分音量介绍道。
“原来是他。”
陈星忍不住笑了笑,这位老爷子可太传奇了。
吹个牛逼,把一群院士都唬住,如果能证实可以利用多重曝光技术实现14纳米芯片,那他吹的牛也算实现了。
“制造光掩膜版的时间比较漫长,单次流片的时间都要1到3天,我建议陈总还是不要等了,公司可不能没有你。”
曲程提了个醒道。
单次要1到3天,经过林天推算,14纳米芯片掩膜版,一共要经历50次左右流片,才能最终进行封装使用。
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